3450Mo/s max en lecture / 3200Mo/s max en écriture
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3450Mo/s max en lecture / 3200Mo/s max en écriture
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne | 
|---|---|
| Capacité | 1000 Go | 
| Interface | PCIe 3.1 x4 (NVMe) | 
| Caractéristiques | Prise en charge TRIM, Wear Leveling Support, Ultra-efficient Block Management, NVM Express (NVMe) 1.4, InnoGrit IG5216, S.M.A.R.T. | 
| Poids | 10 g | 
| Largeur | 22 mm | 
| Profondeur | 80 mm | 
| Hauteur | 2.25 mm | 
| Type de mémoire flash NAND | 3D triple-level cell (TLC) | 
| Format | M.2 2280 | 
| Performances | |
| Débit de transfert interne | 3450 Mo/s (lecture) / 3200 Mo/s (écriture) | 
| Lecture aléatoire 4 Ko | 290000 IOPS | 
| Ecriture aléatoire 4 Ko | 280000 IOPS | 
| Endurance SSD | 512 TB | 
| Expansion et connectivité | |
| Interfaces | 1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - M.2 Card | 
| Baie compatible | M.2 2280 | 
| Alimentation | |
| Consommation électrique | 2871 mW (lecture) 1056 mW (inactif) 3802 mW (écriture) | 
| Divers | |
| Normes de conformité | FCC, RoHS, UKCA | 
| Caractéristiques d’environnement | |
| Taux d'humidité en fonctionnement | 5 - 95 % (sans condensation) | 
| Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ onde semi-sinusoidale 0,5 ms | 
| Tolérance aux vibrations (au repos) | 20 g @ 10-2000 Hz | 
| Température de stockage maxi | 85 °C | 
| Température de stockage mini | -40 °C | 
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C | 
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C | 
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