Technologie TurboWrite intelligente, technologie Samsung V-NAND TLC, prise en charge du mode veille de l'appareil, mémoire tampon hôte (HMB), prise en charge TRIM, algorithme de récupération automatique des déchets, SMART, IEEE 1667
Largeur
22,15 mm
Profondeur
80,15 mm
Hauteur
2,38 mm
Poids
9 g
Performance
Débit de données interne
7250 Mo/s (lecture) / 6300 Mo/s (écriture)
Écriture aléatoire maximale de 4 Ko
1350000 IOPS
Lecture aléatoire maximale de 4 Ko
1 000 000 IOPS
Fiabilité
MTBF
1 500 000 heures
Expansion et connectivité
Baie compatible
M.2 2280
Pouvoir
Consommation d'énergie
4,6 W (lecture) 4,2 W (écriture) 60 mW (veille) 5 mW (veille prolongée)